Microsemi Corporation - JAN1N4248

KEY Part #: K6427626

JAN1N4248 価格設定(USD) [13636個在庫]

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品番:
JAN1N4248
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A STD 800V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4248 electronic components. JAN1N4248 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4248, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4248 製品の属性

品番 : JAN1N4248
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/286
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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