ON Semiconductor - SBAS16HT3G

KEY Part #: K6425672

SBAS16HT3G 価格設定(USD) [1948362個在庫]

  • 1 pcs$0.02003
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品番:
SBAS16HT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 75V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor SBAS16HT3G electronic components. SBAS16HT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBAS16HT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBAS16HT3G 製品の属性

品番 : SBAS16HT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 150mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 6ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-323
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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