BYG10YHE3_A/I 価格設定（USD） [592206個在庫]
- 1 pcs$0.06246
- 品番:
- BYG10YHE3_A/I
- 詳細な説明:
- 1.5A1600VSTDAVALANCHESMD. Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA)
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10YHE3_A/I electronic components. BYG10YHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10YHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10YHE3_A/I 製品の属性
品番 :
BYG10YHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
1.5A1600VSTDAVALANCHESMD
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Avalanche
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1600V
電流-平均整流（Io） :
1.5A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 1.5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
SMA (DO-214AC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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