Nexperia USA Inc. - PUMD10,115

KEY Part #: K6529250

PUMD10,115 価格設定(USD) [1484466個在庫]

  • 1 pcs$0.02504
  • 3,000 pcs$0.02492
  • 6,000 pcs$0.02167
  • 15,000 pcs$0.01841
  • 30,000 pcs$0.01733
  • 75,000 pcs$0.01625

品番:
PUMD10,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PUMD10,115 electronic components. PUMD10,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PUMD10,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PUMD10,115 製品の属性

品番 : PUMD10,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 100mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 230MHz
パワー-最大 : 300mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSSOP

あなたも興味があるかもしれません
  • RN4603(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6.

  • RN2607(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6.

  • RN2606(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6.

  • RN4604(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6.

  • RN2608(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6.

  • RN1601(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6.