Infineon Technologies - IPLU300N04S4R8XTMA1

KEY Part #: K6402110

IPLU300N04S4R8XTMA1 価格設定(USD) [30758個在庫]

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  • 2,000 pcs$1.06023

品番:
IPLU300N04S4R8XTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPLU300N04S4R8XTMA1 製品の属性

品番 : IPLU300N04S4R8XTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 300A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 0.77 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 230µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 287nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 22945pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 429W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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