Vishay Semiconductor Diodes Division - SE30AFGHM3/6A

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品番:
SE30AFGHM3/6A
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 400 Volts ESD PROTECTION
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE30AFGHM3/6A 製品の属性

品番 : SE30AFGHM3/6A
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 3A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 19pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-221AC (SlimSMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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