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- 品番:
- VS-1EFH01W-M3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1A SMF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1EFH01W-M3-18 electronic components. VS-1EFH01W-M3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1EFH01W-M3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-1EFH01W-M3-18 製品の属性
品番 :
VS-1EFH01W-M3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
シリーズ :
FRED Pt®
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
930mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
16ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
SMF (DO-219AB)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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