ON Semiconductor - FDD850N10LD

KEY Part #: K6420305

FDD850N10LD 価格設定(USD) [180202個在庫]

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品番:
FDD850N10LD
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD850N10LD 製品の属性

品番 : FDD850N10LD
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 28.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1465pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 42W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252-4L
パッケージ/ケース : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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