[474個在庫]
- 品番:
- IXFH26N55Q
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 550V 26A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFH26N55Q electronic components. IXFH26N55Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH26N55Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH26N55Q 製品の属性
品番 :
IXFH26N55Q
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
550V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
26A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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