EPC - EPC2045ENGRT

KEY Part #: K6415960

EPC2045ENGRT 価格設定(USD) [12230個在庫]

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品番:
EPC2045ENGRT
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GANFET TRANS 100V BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2045ENGRT 製品の属性

品番 : EPC2045ENGRT
メーカー : EPC
説明 : GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.5nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 685pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
パッケージ/ケース : Die
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