GeneSiC Semiconductor - FR6BR05

KEY Part #: K6425058

詳細な説明:: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4. Rectifiers 100V 6A REV Leads Fast Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor FR6BR05 electronic components. FR6BR05 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR6BR05, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : FR6BR05

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V

電流-平均整流（Io） : 16A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 6A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 500ns

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

ホットパーツ