APTGTQ200A65T3G 価格設定（USD） [1498個在庫]
- 1 pcs$28.90496
- 品番:
- APTGTQ200A65T3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- POWER MODULE - IGBT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTGTQ200A65T3G electronic components. APTGTQ200A65T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGTQ200A65T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTGTQ200A65T3G 製品の属性
品番 :
APTGTQ200A65T3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MODULE - IGBT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
200A
パワー-最大 :
483W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
200µA
入力容量（Cies）@ Vce :
12nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3F
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