Microsemi Corporation - APTGT50H60RT3G

KEY Part #: K6533048

APTGT50H60RT3G 価格設定(USD) [2178個在庫]

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  • 100 pcs$20.37232

品番:
APTGT50H60RT3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60RT3G 製品の属性

品番 : APTGT50H60RT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
パワー-最大 : 176W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.15nF @ 25V
入力 : Single Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3