MUN5112T1G 価格設定（USD） [3295328個在庫]
- 1 pcs$0.01122
- 30,000 pcs$0.00763
- 品番:
- MUN5112T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor MUN5112T1G electronic components. MUN5112T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5112T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MUN5112T1G 製品の属性
品番 :
MUN5112T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
22 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
22 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
202mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-3 (SOT323)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FJX4013RTF
- FJNS4210RBU
- UNR421D00A
- UNR412300A
- DTC144WET1
- DTC143XSATP
- DDTA114TCA-7
- UNR911TJ0L
- PDTA115TE,115
- PDTC144EE,135
- DDTA144ECA-7
- UNR52A4G0L
- DDTA144VE-7
- DDTC115GUA-7
- RN1106ACT(TPL3)
- RN2108CT(TPL3)
- MMUN2216LT1
- UNR31AN00L
- PDTB123YK,115
- PDTB123ES,126
- RN1117(T5L,F,T)
- UNR921AG0L
- UNR9218G0L
- UNR9216G0L
- UNR511FG0L
- UNR31AEG0L
- UNR51ATG0L
- UNR31A5G0L
- FJY4008R
- BCR 151T E6327
- BCR 112L3 E6327
- DTB743ZMT2L
- BCR573E6327HTSA1
- DTC143ZUBHZGTL
- DTC115GUAT106
- PDTA144TT,215
- PDTC124TU,115
- BCR158WH6327XTSA1
- BCR166WH6327XTSA1
- BCR141E6327HTSA1