Taiwan Semiconductor Corporation - HS1BL RTG

KEY Part #: K6437602

HS1BL RTG 価格設定(USD) [1771238個在庫]

  • 1 pcs$0.02088

品番:
HS1BL RTG
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS1BL RTG 製品の属性

品番 : HS1BL RTG
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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