FDS6679AZ 価格設定（USD） [245688個在庫]
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- 2,500 pcs$0.14509
- 品番:
- FDS6679AZ
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6679AZ electronic components. FDS6679AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6679AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6679AZ 製品の属性
品番 :
FDS6679AZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3845pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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