FDS6679AZ 価格設定（USD） [245688個在庫]
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- 2,500 pcs$0.14509
- 品番:
- FDS6679AZ
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6679AZ electronic components. FDS6679AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6679AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6679AZ 製品の属性
品番 :
FDS6679AZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3845pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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