メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
29A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
33nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2200pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8