Infineon Technologies - BSC0501NSIATMA1

KEY Part #: K6420048

BSC0501NSIATMA1 価格設定(USD) [154630個在庫]

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品番:
BSC0501NSIATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0501NSIATMA1 製品の属性

品番 : BSC0501NSIATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2200pF @ 15V
FET機能 : Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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