[13526個在庫]
- 品番:
- PMV65XP/MIR
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMV65XP/MIR electronic components. PMV65XP/MIR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV65XP/MIR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV65XP/MIR 製品の属性
品番 :
PMV65XP/MIR
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET P-CH 20V SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.7nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
744pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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