DMJ70H900HJ3 価格設定（USD） [64604個在庫]
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- 品番:
- DMJ70H900HJ3
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3 electronic components. DMJ70H900HJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H900HJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMJ70H900HJ3 製品の属性
品番 :
DMJ70H900HJ3
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
603pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
68W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251
パッケージ/ケース :
TO-251-3, IPak, Short Leads
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