VS-HFA08TB120-N3 価格設定（USD） [7405個在庫]
- 1,000 pcs$1.00470
- 品番:
- VS-HFA08TB120-N3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120-N3 electronic components. VS-HFA08TB120-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TB120-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08TB120-N3 製品の属性
品番 :
VS-HFA08TB120-N3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
シリーズ :
HEXFRED®
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.3V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
95ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AC
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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