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Microsemi Corporation - JAN1N6639

KEY Part #: K6427466

JAN1N6639 価格設定（USD） [10563個在庫]

  • 1 pcs$3.92070
  • 115 pcs$3.90119
品番:
JAN1N6639
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6639 electronic components. JAN1N6639 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6639, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6639 製品の属性

品番 : JAN1N6639
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/609
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 75V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 300mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 75V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : D, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5D
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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