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Microsemi Corporation - 1N3595US

KEY Part #: K6440612

1N3595US 価格設定（USD） [7090個在庫]

  • 1 pcs$5.98471
  • 10 pcs$5.44176
  • 25 pcs$5.03368
  • 100 pcs$4.62550
  • 250 pcs$4.21738
  • 500 pcs$3.94528
品番:
1N3595US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 4A B-MELF. Rectifiers Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N3595US electronic components. 1N3595US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3595US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3595US 製品の属性

品番 : 1N3595US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 4A B-MELF
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : -
電流-平均整流（Io） : 4A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 200mA
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 3µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1nA @ 125V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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