Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-MURB820-1PBF

KEY Part #: K6442656

VS-MURB820-1PBF 価格設定(USD) [3058個在庫]

  • 1,000 pcs$0.24979

品番:
VS-MURB820-1PBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-MURB820-1PBF electronic components. VS-MURB820-1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-MURB820-1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-MURB820-1PBF 製品の属性

品番 : VS-MURB820-1PBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 975mV @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262AA
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • GP2D010A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

  • GP2D006A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

  • GP2D005A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

  • GDP03S060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.