RQ3E180GNTB 価格設定（USD） [410811個在庫]
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- 品番:
- RQ3E180GNTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E180GNTB electronic components. RQ3E180GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E180GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E180GNTB 製品の属性
品番 :
RQ3E180GNTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.3 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1520pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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