RGF1DHE3/67A 価格設定（USD） [500114個在庫]
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- 品番:
- RGF1DHE3/67A
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1DHE3/67A electronic components. RGF1DHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1DHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1DHE3/67A 製品の属性
品番 :
RGF1DHE3/67A
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
150ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214BA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214BA (GF1)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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