Microsemi Corporation - JANTXV1N5619US

KEY Part #: K6433513

JANTXV1N5619US 価格設定（USD） [7753個在庫]

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103 pcs$8.49045

品番:: JANTXV1N5619US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5619US electronic components. JANTXV1N5619US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5619US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTXV1N5619US 製品の属性

品番 : JANTXV1N5619US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/429

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io） : 1A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.6V @ 3A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 250ns

電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 600V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, A

サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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