Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1DHE3/5AT

KEY Part #: K6447599

[1368個在庫]


    品番:
    ES1DHE3/5AT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1DHE3/5AT electronic components. ES1DHE3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1DHE3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES1DHE3/5AT 製品の属性

    品番 : ES1DHE3/5AT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 920mV @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 25ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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