DMN3009LFVW-13 価格設定（USD） [339977個在庫]
- 1 pcs$0.10879
- 品番:
- DMN3009LFVW-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3009LFVW-13 electronic components. DMN3009LFVW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3009LFVW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3009LFVW-13 製品の属性
品番 :
DMN3009LFVW-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8 (Type UX)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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