Microsemi Corporation - JAN1N6642U

KEY Part #: K6432810

JAN1N6642U 価格設定(USD) [7875個在庫]

  • 1 pcs$5.25926
  • 100 pcs$5.23309

品番:
JAN1N6642U
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6642U electronic components. JAN1N6642U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6642U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6642U 製品の属性

品番 : JAN1N6642U
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/578
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 75V
電流-平均整流(Io) : 300mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 5ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 75V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, D
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5D
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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