Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT100TP60N

KEY Part #: K6533284

VS-GT100TP60N 価格設定(USD) [427個在庫]

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品番:
VS-GT100TP60N
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT100TP60N 製品の属性

品番 : VS-GT100TP60N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 160A
パワー-最大 : 417W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 7.71nF @ 30V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ : INT-A-PAK

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