S8CJ-M3/I 価格設定（USD） [337377個在庫]
- 1 pcs$0.10963
- 品番:
- S8CJ-M3/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB. Rectifiers 8A, 600V SMC
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S8CJ-M3/I electronic components. S8CJ-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S8CJ-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S8CJ-M3/I 製品の属性
品番 :
S8CJ-M3/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
985mV @ 8A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
79pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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