Infineon Technologies - IRFR4105ZPBF

KEY Part #: K6411460

IRFR4105ZPBF 価格設定(USD) [13783個在庫]

  • 3,000 pcs$0.18802

品番:
IRFR4105ZPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFR4105ZPBF electronic components. IRFR4105ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR4105ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4105ZPBF 製品の属性

品番 : IRFR4105ZPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 24.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 740pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410LG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

  • VN2222LLG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • BS170RLRAG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • 2SJ377(TE16R1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD.

  • IRLR8503TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

  • IRLR8503PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.