Infineon Technologies - SPP11N60C3XKSA1

KEY Part #: K6417206

SPP11N60C3XKSA1 価格設定(USD) [26568個在庫]

  • 1 pcs$1.44550
  • 10 pcs$1.30447
  • 100 pcs$0.99445
  • 500 pcs$0.77345
  • 1,000 pcs$0.64086

品番:
SPP11N60C3XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 electronic components. SPP11N60C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP11N60C3XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPP11N60C3XKSA1 製品の属性

品番 : SPP11N60C3XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.