ON Semiconductor - NTHD4P02FT1G

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NTHD4P02FT1G 価格設定(USD) [508821個在庫]

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品番:
NTHD4P02FT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTHD4P02FT1G 製品の属性

品番 : NTHD4P02FT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.2A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 10V
FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) : 1.1W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ChipFET™
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead

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