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Microsemi Corporation - HSM830GE3/TR13

KEY Part #: K6438716

HSM830GE3/TR13 価格設定（USD） [90270個在庫]

  • 1 pcs$0.44076
  • 3,000 pcs$0.43857
品番:
HSM830GE3/TR13
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation HSM830GE3/TR13 electronic components. HSM830GE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HSM830GE3/TR13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HSM830GE3/TR13 製品の属性

品番 : HSM830GE3/TR13
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 30V
電流-平均整流（Io） : 8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 620mV @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 30V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-215AB, SMC Gull Wing
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-215AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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