Microsemi Corporation - HSM830GE3/TR13

KEY Part #: K6438716

HSM830GE3/TR13 価格設定(USD) [90270個在庫]

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品番:
HSM830GE3/TR13
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HSM830GE3/TR13 製品の属性

品番 : HSM830GE3/TR13
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 620mV @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 30V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-215AB, SMC Gull Wing
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-215AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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