現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-整流器-シングル
  5. MBRH20030

GeneSiC Semiconductor - MBRH20030

KEY Part #: K6425202

MBRH20030 価格設定（USD） [2034個在庫]

  • 1 pcs$21.27891
  • 50 pcs$13.36417
品番:
MBRH20030
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 30P/21R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRH20030 electronic components. MBRH20030 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRH20030, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRH20030 製品の属性

品番 : MBRH20030
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 30V
電流-平均整流（Io） : 200A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 650mV @ 200A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : D-67
サプライヤーデバイスパッケージ : D-67
動作温度-ジャンクション : -
あなたも興味があるかもしれません
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • LXA04B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr

  • LXA03D530-TL

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC

  • NSR0170P2T5G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD923. Schottky Diodes & Rectifiers 70V SCHOTTKY DIODE SOD923

ホットパーツ