NXP USA Inc. - BST72A,112

KEY Part #: K6400305

[3443個在庫]


    品番:
    BST72A,112
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BST72A,112 製品の属性

    品番 : BST72A,112
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 190mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : 20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 40pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 830mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
    パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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