Comchip Technology - CDBJSC101700-G

KEY Part #: K6431474

CDBJSC101700-G 価格設定（USD） [2811個在庫]

1 pcs$15.40472

品番:: CDBJSC101700-G

メーカー:: Comchip Technology

詳細な説明:: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1700V

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Comchip Technology CDBJSC101700-G electronic components. CDBJSC101700-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC101700-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

CDBJSC101700-G 製品の属性

品番 : CDBJSC101700-G

メーカー : Comchip Technology

説明 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1700V

電流-平均整流（Io） : 35A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 10A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1700V

静電容量@ Vr、F : 1400pF @ 0V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : TO-220-2

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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