メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
トランジスタータイプ :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
50V
抵抗-エミッターベース(R2) :
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
500nA
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666