Global Power Technologies Group - GSID200A120S5C1

KEY Part #: K6532474

GSID200A120S5C1 価格設定(USD) [494個在庫]

  • 1 pcs$93.86639
  • 10 pcs$89.33491
  • 25 pcs$86.31392

品番:
GSID200A120S5C1
メーカー:
Global Power Technologies Group
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 335A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A120S5C1 electronic components. GSID200A120S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A120S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A120S5C1 製品の属性

品番 : GSID200A120S5C1
メーカー : Global Power Technologies Group
説明 : IGBT MODULE 1200V 335A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 335A
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 22.4nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.