Infineon Technologies - IKD10N60RFATMA1

KEY Part #: K6422458

IKD10N60RFATMA1 価格設定(USD) [112915個在庫]

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品番:
IKD10N60RFATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKD10N60RFATMA1 製品の属性

品番 : IKD10N60RFATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
シリーズ : TrenchStop®
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 20A
電流-パルスコレクター(Icm) : 30A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.5V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 150W
スイッチングエネルギー : 190µJ (on), 160µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 64nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 12ns/168ns
試験条件 : 400V, 10A, 26 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 72ns
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3