MBR8H100MFST1G 価格設定（USD） [386323個在庫]
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- 品番:
- MBR8H100MFST1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A, 100 V SCHOTTKY DIO
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor MBR8H100MFST1G electronic components. MBR8H100MFST1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR8H100MFST1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR8H100MFST1G 製品の属性
品番 :
MBR8H100MFST1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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