Nexperia USA Inc. - PMZB600UNEYL

KEY Part #: K6421661

PMZB600UNEYL 価格設定(USD) [1368472個在庫]

  • 1 pcs$0.04089
  • 10,000 pcs$0.04069

品番:
PMZB600UNEYL
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 3QFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMZB600UNEYL electronic components. PMZB600UNEYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZB600UNEYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB600UNEYL 製品の属性

品番 : PMZB600UNEYL
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 20V 3QFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 600mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 21.3pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN1006B-3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN

あなたも興味があるかもしれません