Infineon Technologies - DDB6U215N16LHOSA1

KEY Part #: K6473497

DDB6U215N16LHOSA1 価格設定(USD) [641個在庫]

  • 1 pcs$72.42381

品番:
DDB6U215N16LHOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE MODULE GP 1600V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies DDB6U215N16LHOSA1 electronic components. DDB6U215N16LHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDB6U215N16LHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB6U215N16LHOSA1 製品の属性

品番 : DDB6U215N16LHOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE MODULE GP 1600V
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 3 Independent
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.61V @ 300A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10mA @ 1600V
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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