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- 品番:
- JAN1N5807
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5807 electronic components. JAN1N5807 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5807, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N5807 製品の属性
品番 :
JAN1N5807
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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