WeEn Semiconductors - BYV30X-600PQ

KEY Part #: K6440499

[3797個在庫]


    品番:
    BYV30X-600PQ
    メーカー:
    WeEn Semiconductors
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F. Rectifiers BYV30X-600PQ/TO-220F/STANDARD M
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYV30X-600PQ electronic components. BYV30X-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV30X-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30X-600PQ 製品の属性

    品番 : BYV30X-600PQ
    メーカー : WeEn Semiconductors
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 30A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.55V @ 30A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 75ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
    動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
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