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Microsemi Corporation - JAN1N5553

KEY Part #: K6427124

JAN1N5553 価格設定（USD） [9553個在庫]

  • 1 pcs$4.41639
  • 103 pcs$4.39442
品番:
JAN1N5553
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5553 electronic components. JAN1N5553 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5553, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5553 製品の属性

品番 : JAN1N5553
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 800V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 9A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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