US1G-E3/5AT 価格設定（USD） [885871個在庫]
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- 品番:
- US1G-E3/5AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1G-E3/5AT electronic components. US1G-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1G-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
US1G-E3/5AT 製品の属性
品番 :
US1G-E3/5AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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