Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-6ESH06-M3/86A

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品番:
VS-6ESH06-M3/86A
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 600V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-6ESH06-M3/86A 製品の属性

品番 : VS-6ESH06-M3/86A
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
シリーズ : FRED Pt®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 6A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 40ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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