ON Semiconductor - MJD117-1G

KEY Part #: K6384065

MJD117-1G 価格設定(USD) [137531個在庫]

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品番:
MJD117-1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MJD117-1G 製品の属性

品番 : MJD117-1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Darlington
電流-コレクター(Ic)(最大) : 2A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 100V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 3V @ 40mA, 4A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 20µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 1000 @ 2A, 3V
パワー-最大 : 1.75W
頻度-遷移 : 25MHz
動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK

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